ＴＳＣおよび準静的Ｃ-Ｖ測定によるペンタセンＴＦＴの界面準位評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI13054

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2013/05/31

タイトル(英語): Evaluation of Interface State Density of Pentacene TFT by TSC and quasi-static C-V measurements

著者名: 国吉 繁一(千葉大学),大関 俊樹(千葉大学),津吹 優太(千葉大学),飯塚 正明(千葉大学),酒井 正俊(千葉大学),工藤 一浩(千葉大学)

著者名(英語): Kuniyoshi Shigekazu(Chiba University),Ozeki Toshiki(Chiba University),Tsubuki Yuta(Chiba University),Iizuka Msaaki(Chiba University),Sakai Masatoshi(Chiba University),Kudo Kazuhiro(Chiba University)

キーワード: 界面準位|有機トランジスタ|Ｃ－Ｖ特性|熱刺激電流|ペンタセン|シリコーン|Interface State|Organic Transistor|C-V Characteristics|Thermally Stimulated Current|Pentacene|Silicone

要約(日本語): 有機半導体/ゲート絶縁膜界面に存在する界面準位は有機電界効果トランジスタの特性に大きな影響を与える。本研究では、等温で簡単に測定できる準静的C-V測定による界面準位の評価法を提案した。ここでは、この評価法によって得られたペンタセン/シリコーン樹脂およびペンタセン/SiO2界面のトラップ密度と熱刺激電流法によって求めた界面トラップ密度の比較検討を行った結果について報告する。

要約(英語): The interface states existing at organic semiconductor/gate dielectric interface significantly influences on the performance of field-effect transistors. In this study, we propose a new method to obtain the interface state density based on quasi-static C-V measurements. We describe here the interface states density at pentacene/silicone resin and pentacene/SiO2 interfaces obtained by the proposed method and the thermally stimulated current method.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 741 Kバイト