ナノインプリントリソグラフィーによる段差型高周波トランジスタタグの特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI17017

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2017/02/22

タイトル(英語): Characterization of step-edge transistor tags fabricated by nanoimprint lithography

著者名: 周 真平(千葉大学),平山 智明(千葉大学),山内 博(千葉大学),岡田 悠悟(千葉大学),酒井 正俊(千葉大学),飯塚 正明(千葉大学),工藤 一浩(千葉大学)

著者名(英語): Shimpei Shu(Chiba University),Tomoaki Hirayama(Chiba University),Hiroshi Yamauchi(Chiba University),Yugo Okada(Chiba University),Masatoshi Sakai(Chiba University),Masaaki Izuka(Chiba University),Kazuhiro Kudo(Chiba University)

キーワード: ＲＦＩＤタグ|段差型ＦＥＴ|高周波インピーダンス測定|ＺｎＯ|ナノインプリント|フレキシブルデバイス|RFID tags|step type FET|high-frequency impedance measurement|ZnO|nanoimprint|flexible device

要約(日本語): 本研究では、RFIDタグに内蔵されるループアンテナと変調素子である電界効果トランジスタ（FET）について、ナノインプリントリソグラフィー（NIL）を利用してフレキシブル基板上に高速動作可能な段差型FET素子（SVC-FET）を作製し、そのFET特性を調べた。SVC-FETの活性層には酸化亜鉛(ZnO)を用いた。13.56MHz帯RFIDタグの変調素子への適用に向けて、SVC-FETに高周波信号を印加した場合のソース・ドレイン間インピーダンスの測定を行った結果について述べる。

要約(英語): In this research, we have developed a high-speed SVC-FET (Step-edge Vertical Channel FET) on a step structure of flexible substrate using nanoimprint lithography for RFID tag applications, and have investigated FET characteristics. Toward application of the 13.56 MHz RFID tag, measurement results of source-drain impedance of SVC-FET when high-frequency signal was applied are described.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,358 Kバイト