高電界印加とエネルギー準位傾斜の量子化学計算による検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI17019

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2017/02/22

タイトル(英語): Discussion on the energy level slope under high electric field application using Quantum Chemical Calculation

著者名: 高田 達雄(東京都市大学)

著者名(英語): Tatsuo Takada(Tokyo City University)

キーワード: 量子化学計算|密度汎関数法|空間電荷|フェルミ準位|超高電界|電位分布|Quantum Chemical Caluculation|Density Functional Theory|space charge|Fermi level|ultra-high electric field|electrical potential distribution

要約(日本語): 量子化学計算の密度汎関数法(DFT)により、ポリエチレン分子(C20H42)に超高電界印加した場合の、エネルギー準位を計算した。その見かけのエネルギーギャップが10eV(印加電界零)から4.5eV(印加電界3000kV/mm)に狭くなった。そのメカニズムを解明するために、各エネルギー準位の分子軌道をポリエチレン分子軸に沿って描いた。その結果、エネルギーギャップに変化はなく、エネルギー準位が分子軸に沿って傾いていることが判明した。

要約(英語): This paper discusses the apparent reduction phenomena of energy gap in polyethylene C20H42 under an ultra-high electric field application by using Quantum Chemical Calculation. For example, the energy gaps are apparently decreased from 10eV without electric field to 4.5eV under the electric field of 3000kV/mm. As the calculation result, it is found that the energy level diagram of molecular orbital is inclined along polyethylene molecular chain.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,606 Kバイト