顕微電界誘起光第二次高調波発生測定による有機EL素子の電荷挙動の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI17022

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2017/02/22

タイトル(英語): Analysis of carrier behavior in organic light-emitting diodes using microscopic electric-filed induced optical second harmonic generation measurement

著者名: 貞方 敦雄(九州産業大学),田口 大(東京工業大学),間中 孝彰(東京工業大学),岩本 光正(東京工業大学)

著者名(英語): Atsuo Sadakata(Kyushu Sangyo University),Dai Taguchi(Tokyo Institute of Technology),Takaaki Manaka(Tokyo Institute of Technology),Mitsumasa Iwamoto(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 有機ＥＬ|界面電荷分布|顕微ＥＦＩＳＨＧ|Organic light-emitting diodes|Interfacial accumulated charge distribution|Microscopic EFISHG

要約(日本語): 二層積層有機EL素子(IZO/Alpha-NPD/Alq3/Al)のAlpha-NPD層とAlq3層の界面に形成される界面電荷分布について解析するため, 顕微電界誘起光第二次高調波発生測定法を考案した。EL発光中の界面電荷分布を測定した結果、主に正孔蓄積が生じ、部分的にAlpha-NPD層が高電界化(高抵抗化)していることを明らかとした。

要約(英語): For analyzing accumulated charge distribution at the interface of Alpha-NPD and Alq3 in organic light-emitting diodes with a structure of IZO/Alpha-NPD/Alq3/Al, we have developed a novel microscopic electric-field-induced optical second-harmonic generation measurement. The microscopic observation showed that holes dominate accumulated charge distribution at the interface under EL emission.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 902 Kバイト