単層カーボンナノチューブ成長中の配向制御と自由電子レーザー照射効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI17067

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2017/06/30

タイトル(英語): Alignment Control of Single-Walled Carbon Nanotubes and Free Electron Laser Irradiation Effects During Growth

著者名: 保延 賢人(日本大学),高橋 祐貴(日本大学),シャーマ ロヒト(日本大学),永田 知子(日本大学),岩田 展幸(日本大学),山本 寛(日本大学)

著者名(英語): Kento Honobe(Nihon University),Yuuki Takahashi(Nihon University),Rohit Sharma(Nihon University),Tomoko Nagata(Nihon University),Nobuyuki Iwata(Nihon University),Hiroshi Yamamoto(Nihon University)

キーワード: 単層カーボンナノチューブ|単結晶基板|配向|カイラリティ|自由電子レーザー|照射効果|single-walled carbon nanotube|single crystal substrate|alignment |chirality|free electron laser|irradiation effect

要約(日本語): ホットウォール型CVD装置により、人工水晶基板上での単層カーボンナノチューブ(SWNTs)の面内配向成長を検討した。800nmの自由電子レーザー(FEL)照射の効果を調べた。FEL未照射時、金属SWNTsの成長を確認した。FEL照射の場合、半導体SWNTsの優先的成長を確認した。しかし、面内配向SWNTsでは単結晶基板の原子配列の影響により、成長しやすい金属性カイラリティがあることも分かった。

要約(英語): We have tried to control in-plane aligned SWNTs growth and/or chirality on ST-cut quartz substrates by in-situ irradiation of free electron laser during CVD process.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,766 Kバイト