低In、Ga領域における低温塗布プロセスIGZO薄膜トランジスタの作製と評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI17069

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2017/06/30

タイトル(英語): Fabrication and evaluation of low temperature solution processed IGZO thin film transistor with low rare metal composition

著者名: 工藤 一浩(千葉大学),田中 光(千葉大学),山内 博(千葉大学),岡田 悠悟(千葉大学),酒井 正俊(千葉大学)

著者名(英語): Kazuhiro Kudo(Chiba University),Hikaru Tanaka(Chiba University),Hiroshi Yamauchi(Chiba University),Yugo Okada(Chiba University),Masatoshi Sakai(Chiba University)

キーワード: ＩＧＺＯ|薄膜トランジスタ|低温プロセス|フレキシブルデバイス|紫外線オゾン処理|低レアメタル|IGZO|thin film transistor|low temperature process|flexible device|violet/ozone treatment|low-rare-metal

要約(日本語): 本研究ではフレキシブルデバイス（ディスプレイ、情報タグ）の作製を目指して、溶液法でInとGaの組成比が小さい領域でZnO系薄膜トランジスタ(IGZO-TFT)を作製した。混合比率をIn = Ga とした場合、12%周辺に移動度のピークを持つことがわかった。また紫外線オゾン(UV/O3)アシスト加熱による低温プロセス化の検討を行った結果、200°C以下でもTFT変調が確認され、フレキシブルデバイスの実現可能性が示された。

要約(英語): In this study, we fabricated low-rare-metal (In, Ga) ZnO thin film transistor (IGZO-TFT) for flexible devices (displays, information tag) at low temperature. The mobility peak of solution processed IGZO-TFTs was observed in at low composition ratio around 12% In, Ga. The ultra-violet/ozone assisted thermal treatment was found to be effective for lowering the process temperature of IGZO-TFT less than 200°C.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,593 Kバイト