パワーモジュール内部の電磁波伝搬特性を考慮した高精度部分放電位置標定

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI19017

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2019/01/25

タイトル(英語): High Accuracy Partial Discharge Location in Power Module considering Electromagnetic Wave Propagation Characteristics

著者名: 真木 洵耶(九州工業大学),吉積 弘将(九州工業大学),松添 宇一(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),中村 瑤子(富士電機),谷口 克己(富士電機),池田 良成(富士電機),岡本 健次(富士電機)

著者名(英語): Junya Maki(Kyushu Institute of Technology),Hiromasa Yoshizumi(Kyushu Institute of Technology),Takakazu Matsuzoe(Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology),Yoko Nakamura(Fuji Electric Co., Ltd.),Katsumi Taniguchi(Fuji Electric Co., Ltd.),Yoshinari Ikeda(Fuji Electric Co., Ltd.),Kenji Okamoto(Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: 部分放電|位置標定|ループセンサ|電磁波|パワーモジュール|partial discharge|location|loop sensor|electromagnetic wave|power module

要約(日本語): 本研究では，樹脂封止されたパワーモジュールのデバイス実装方式の高耐圧化，高信頼性化，小型化を目的としている。そこで著者らは，絶縁性能劣化させる弱点部分の位置を特定するため部分放電（PD）が起きた際に発生するPD放射電磁波をループセンサにて検出し，PD位置標定を行ってきた。本稿では，パワーモジュール内部の電磁波伝搬特性を実測および解析にて評価した結果を報告する。この結果は，高精度PD位置標定が可能であることを示す。

要約(英語): Recently, wideband gap semiconductor devices (SiC, GaN, diamond etc.) have attracted a lot of attention as the next-generation power devices to replace conventional silicon based semiconductors. This paper deals with the electromagnetic wave propagation characteristics for high accuracy of partial discharge location using loop sensors for power module.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,618 Kバイト