MOSFETを用いた13.56MHz高周波電源の動作特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 315

グループ名: 【D】平成13年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2001/08/22

タイトル(英語): Circuit Configuration and Performance of a 13.56-MHz Power Supply using a MOSFET

著者名: 福井 二郎(岡山大学),藤田 英明(岡山大学),小笠原 悟司(岡山大学),赤木 泰文(東京工業大学),篠原 信一(オリジン電気)

著者名(英語): Fukui Jiro(Okayama University),Fujita Hideaki(Okayama University),Ogasawara Satoshi(Okayama University),Akagi Hirofumi(Tokyo Institute of Technology),Shinohara Shinichi(Origin Electric Co.,Ltd.)

キーワード: MOSFET|MOSFET|高周波電源|High Frequency Power Supply|ISMバンド|ISM Band|配線インダクタンス|Stray Inductance|一石コンバータ|Single-Switch converter

PDFファイルサイズ: 364 Kバイト