SiCデバイス作製技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-S8-3

グループ名: 【D】平成15年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2003/08/26

著者名: 福田憲司 (産業技術総合研究所)

キーワード: 炭化珪素|パワーMOSFET|デバイス|作製

PDFファイルサイズ: 3,619 Kバイト