SiCショットキーダイオードを用いた8kW QRASチョッパの効率測定速報

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-85

グループ名: 【D】平成16年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2004/09/14

著者名: 弦田幸憲 (横浜国立大学),伊藤嘉啓 (横浜国立大学),河村篤男 (横浜国立大学)

キーワード: SiCデバイス|DC-DCコンバータ|ソフトスイッチング

要約(日本語): ＳｉＣ半導体モジュールの試作
著者らは，１２００[Ｖ]，１０[Ａ]定格のCREE社製ＳｉＣダイオードを用いて４並列接続構成したＳｉＣダイオードモジュールを試作。ＳｉＣ実験装置
試作したＳｉＣダイオードモジュールを準共振形回生アクティブスナバ(Quasi-resonant Regenerating Active Snubber：QRAS)方式の実験装置に組込み，実験検証。試験評価
回路方式とデバイス両面による効率改善効果を検証し，Ｓｉ半導体パワーデバイスに対し，ＳｉＣ半導体パワーデバイスで

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