600V-SiC-SBDを用いた超高パワー密度（30W／cc）チョッパ変換器の実証

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-86

グループ名: 【D】平成16年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2004/09/14

著者名: 附田正則 (東芝　セミコンダクター社),大村一郎 (東芝　セミコンダクター社),土門知一 (東芝ビジネスアンドライフサービス),齋藤　渉 (東芝　セミコンダクター社),小倉常雄 (東芝　セミコンダクター社)

キーワード: パワー密度|30W／cc|チョッパ変換器|SiC?SBD

要約(日本語): 電力変換器の小型化は近年急速に進んでおり、１０年後には３０Ｗ／ｃｃに到達すると予想。３０Ｗ／ｃｃという高パワー密度を実現するには、高スイッチング周波数および低損失化が必須。上記目的のため、ＳｉＣ?ＳＢＤの採用、低Ｌｓ化のためベアチップ実装を採用、さらに高速ゲート駆動回路を使用。試作した３００Ｗチョッパ変換器（右図）で３０Ｗ／ｃｃを実証。ただし、ヒートシンクの放熱能力は３．４Ｗ／ｃｃが必要。スイッチング素子の損失低減が最も大きな課題。さらにインダクタの鉄損低減も検討が必要。

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