600V系Si-IGBTとSiC-SBDの組み合わせによる変換器高周波数化の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 2008-01-15 00:00:00

グループ名: 【D】平成17年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2005/08/29

著者名: 釜我昌武 (東京工業大学),安達和広 (産業技術総合研究所),Kyungmin Sung (東京工業大学),大橋弘通 (産業技術総合研究所)

キーワード: SiC-SBD|Si-IGBT|スイッチング損失

要約(日本語): 本研究では，半導体デバイスシミュレータを用いて，Si-IGBTのキャリア注入効率を変化させた場合について，Si-IGBTとSiC-SBDとの組み合わせによる変換器素子総合損失の低減効果を検討したので報告する。

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