パワーMOSFET及びIGBTの回路解析用パラメータ抽出手法

カテゴリ: 部門大会

論文No: 2008-01-16 00:00:00

グループ名: 【D】平成17年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2005/08/29

著者名: 古川陽子 (日立製作所),三島彰 (日立製作所),川島徹也 (日立製作所)

キーワード: 回路解析|IGBT|パワーMOSFET|SPICE

要約(日本語): 電力変換モジュールの回路実装では、小型高効率化が重要な課題であり、パワー半導体等の部品性能を十分に引き出し、安定に動作させる必要がある。その為には半導体素子の過渡特性を高精度に考慮した素子モデルと、実装配置から得られた配線インダクタンスに基づく実装回路解析技術が必要である。そこで、パワーMOSFET及びIGBTの特性測定に基づき、容易かつ高速にSPICEによる回路解析で使用する素子モデルを抽出することを目的に、自動パラメータ抽出装置及びソフトを開発した。ここでは、パワーMOSFETとIGBTのパラメータ抽

PDFファイルサイズ: 1,851 Kバイト