横型MOS静電誘導トランジスタの高周波特性のシミュレーション

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-119

グループ名: 【D】平成17年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2005/08/29

著者名: 古屋雅章 (山梨大学),矢野浩司 (山梨大学),春日正伸 (山梨大学)

キーワード: 静電誘導トランジスタ|radio frequency|デバイスシミュレーション

要約(日本語): 半導体トランジスタは高遮断周波数、高出力電力、高効率、低歪、低雑音の性能が必要である。半導体シミュレータSynopsysTCADによってMOSSITの高周波性能を検討した。不飽和特性を得るためにチャネル部のBドーズ量を耐圧を向上させるためにLDD部を設けてそのドーズ量NLDDを最適化させるドレイン電圧が上昇しても電流が飽和しない三極管特性が出ている。耐圧は9.83V、オン抵抗は15.5kΩμmであった。

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