限界損失モデルをベースとした高電力密度化設計法

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-O6-5

グループ名: 【D】平成18年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2006/08/21

タイトル(英語): Design method for high output power density converters based on power loss limit model

著者名: 高尾 和人(産業技術総合研究所),林 祐輔(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所),清水 敏久(首都大学東京),佐藤之彦 (千葉大学)

著者名(英語): Kazuto Takao(AIST),Yusuke Hayashi(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST),Toshihisa Shimizu(Tokyo Metropolitan Universiy),Yukihiko Sato(chiba university)

キーワード: 電力変換器|高電力密度|シリコンカーバイドデバイス|Si-MOSFET| power converter| high output power density| Silicon carbide device| Si-MOSFET

PDFファイルサイズ: 4,009 Kバイト