SiCを用いたトランジスタのシミュレーション

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-33

グループ名: 【D】平成18年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2006/08/21

タイトル(英語): Device Simulation of SiC Transister

著者名: 坂田 博(愛媛大学),丹治 信幸(愛媛大学),松岡 高広(愛媛大学)

著者名(英語): Hiroshi Sakata(Ehime University),Nobuyuki Tanji(Ehime University),Takahiro Matsuoka(Ehime University)

キーワード: SiC|シミュレーション|トランジスタ| SiC| Simulation| Transister

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