低ノイズIGBTモジュールの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-59

グループ名: 【D】平成19年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2007/08/20

タイトル(英語): Development of Low-noise IGBT Modules

著者名: 玉手 道雄(富士電機アドバンストテクノロジー),佐々木 達見子(富士電機アドバンストテクノロジー),鳥羽 章夫(富士電機アドバンストテクノロジー),田久保 拡(富士電機アドバンストテクノロジー),フェルナンドパサン (富士電機アドバンストテクノロジー),岡本 健次(富士電機アドバンストテクノロジー)

著者名(英語): Michio Tamate(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Tamiko Sasaki(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Akio Toba(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Hiromu Takubo(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Pasan Fernando(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.),Kenji Okamoto(Fuji Electric Advanced Technology Co.,Ltd.)

キーワード: IGBTモジュール|高周波漏れ電流|浮遊容量|雑音端子電圧| IGBT module|High-frequency leakage current|Stray capacitor|Conducted emission

PDFファイルサイズ: 6,497 Kバイト