正孔注入型自己バイアスチャネルダイオードのゲート酸化膜薄膜化限界に関する一考察

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-1

グループ名: 【D】平成19年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2007/08/20

タイトル(英語): Consideration concerning Limit of Gate Oxide Thikness for a Hole Injection Type Self-Biased Channel Diode

著者名: 吉田 竜也(東北学院大学),菅原 文彦(東北学院大学),大沼孝一 (東北学院大学),安藤 寛人(福島キヤノン),星 秀明(オリジン電気),山口 日出男(オリジン電気)

著者名(英語): Tatsuya Yoshida(Tohoku Gakuin University),Fumihiko Sugawara(Tohoku Gakuin University),Koichi Ohnuma(Tohoku Gakuin University),Hiroto Ando(Fukushima Canon Co.,Ltd.),Hideaki Hoshi(Origin Electric Co.,Ltd.),Hideo Yamaguchi(Origin Electric Co.,Ltd.)

キーワード: 正孔注入型|ゲート酸化膜|直接トンネル電流| Hole Injection Type|Gate Oxide Thickness|Direct Tunneling Current

PDFファイルサイズ: 1,070 Kバイト