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正孔注入型自己バイアスチャネルダイオードの電力損失シミュレーション

正孔注入型自己バイアスチャネルダイオードの電力損失シミュレーション

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カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-2

グループ名: 【D】平成19年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2007/08/20

タイトル(英語): Simulation of Power Loss for a Hole Injection Type Self-Biased Channel Diode

著者名: 中岡 隆伸(東北学院大学),菅原 文彦(東北学院大学),大沼孝一 (東北学院大学),星 秀明(オリジン電気),山口 日出男(オリジン電気)

著者名(英語): Takanobu Nakaoka(Tohoku Gakuin University),Fumihiko Sugawara(Tohoku Gakuin University),Koichi Ohnuma(Tohoku Gakuin University),Hideaki Hoshi(Origin Electric Co.,Ltd.),Hideo Yamaguchi(Origin Electric Co.,Ltd.)

キーワード: 自己バイアス|チャネルダイオード|正孔注入|電力損失| Self-Bias|Channel Diode|Hole Injection|Power loss

PDFファイルサイズ: 937 Kバイト

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