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正孔注入型自己バイアスチャネルダイオードの電力損失シミュレーション
正孔注入型自己バイアスチャネルダイオードの電力損失シミュレーション
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カテゴリ: 部門大会
論文No: Y-2
グループ名: 【D】平成19年電気学会産業応用部門大会講演論文集
発行日: 2007/08/20
タイトル(英語): Simulation of Power Loss for a Hole Injection Type Self-Biased Channel Diode
著者名: 中岡 隆伸(東北学院大学),菅原 文彦(東北学院大学),大沼孝一 (東北学院大学),星 秀明(オリジン電気),山口 日出男(オリジン電気)
著者名(英語): Takanobu Nakaoka(Tohoku Gakuin University),Fumihiko Sugawara(Tohoku Gakuin University),Koichi Ohnuma(Tohoku Gakuin University),Hideaki Hoshi(Origin Electric Co.,Ltd.),Hideo Yamaguchi(Origin Electric Co.,Ltd.)
キーワード: 自己バイアス|チャネルダイオード|正孔注入|電力損失| Self-Bias|Channel Diode|Hole Injection|Power loss
PDFファイルサイズ: 937 Kバイト
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