SiC-MOSFETの回路モデル

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-126

グループ名: 【D】平成20年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2008/08/27

タイトル(英語): Modeling of SiC-MOSFET for Circuit Simulation

著者名: 中田 修平(三菱電機),炭谷 博昭(三菱電機),今泉 昌之(三菱電機),大森 達夫(三菱電機)

著者名(英語): Shuhei Nakata(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroaki Sumitani(Mitsubishi Electric Corporation),Masayuki Imaizumi(Mitsubishi Electric Corporation),Tatsuo Oomori(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: パワーデバイス|モデル|シミュレーション| power device|model|simulation|SiC

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