1
/
の
1
SiC JFETのゲートドライブ回路とスイッチング特性
SiC JFETのゲートドライブ回路とスイッチング特性
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 部門大会
論文No: 1-128
グループ名: 【D】平成20年電気学会産業応用部門大会講演論文集
発行日: 2008/08/27
タイトル(英語): Gate Drive Circuit for SiC JFETs and its Switching Characteristics
著者名: 宅野 嗣大(京都大学),引原 隆士(京都大学)
著者名(英語): Tsuguhiro Takuno(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)
キーワード: ゲートドライバ|高速スイッチング|スイッチング電圧特性| SiC JFET|gate driver|fast switching|switching voltage characteristics
PDFファイルサイズ: 1,955 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
