インダクタンス負荷におけるSiC-VJFETのスイッチング特性に及ぼすゲート抵抗の影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-129

グループ名: 【D】平成20年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2008/08/27

タイトル(英語): Influence of gate resistance on Switching Characteristics of SiC-VJFET for Inductive Load

著者名: 吉永 啓佑(九州工業大学),プーンヤケットソムパッタナー (九州工業大学),牧 健太郎(九州工業大学),原田 克彦(九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Keisuke Yoshinaga(Kyushu Institute of Technology),Sompathana Pounyakhet(Kyushu Institute of Technology),Kentarou Maki(Kyushu Institute of Technology),Katsuhiko Harada(Kyushu Institute of Technology),Shinya Ohtsuka(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: SiC-VJFET|電磁障害|電磁環境両立性|スイッチング特性| |EMI|EMC| Switching characteristics

PDFファイルサイズ: 1,482 Kバイト