パワーデバイスのモデリング技術の新動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-S3-2

グループ名: 【D】平成21年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2009/08/31

タイトル(英語): New Trend of Power Device Modeling for Circuit Simulations

著者名: 三島 彰(日立製作所),畑中 歩(日立製作所)

著者名(英語): Akira Mishima(Hitachi,Ltd.),Ayumu Hatanaka(Hitachi,Ltd.)

キーワード: パワー半導体モデル|IGBT|パワーダイオード|回路シミュレーション| Power Device Model|IGBT|Power Diode|Circuit Simulation

PDFファイルサイズ: 5,706 Kバイト