PSPICEによるGaNパワーMOSFETのスイッチング特性解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-56

グループ名: 【D】平成22年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2010/08/23

タイトル(英語): Analysis of Switching Characteristics of GaN Power MOSFET Using PSPICE

著者名: 岡本 昌幸(山口大学,科学技術振興機構,CREST),平木 英治(山口大学,科学技術振興機構,CREST),田中 俊彦(山口大学,科学技術振興機構,CREST),橋詰 保(北海道大学,科学技術振興機構,CREST),加地 徹(豊田中央研究所,科学技術振興機構,CREST)

著者名(英語): Masayuki Okamoto(Yamaguchi University,JST,CREST),Eiji Hiraki(Yamaguchi University,JST,CREST),Toshihiko Tanaka(Yamaguchi University,JST,CREST),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University,JST,CREST),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.,JST,CREST)

キーワード: GaNパワーMOSFET|回路シミュレーション|PSPICE|スイッチング特性| GaN power MOSFET|circuit simulation|PSPICE|swtching characteristics

PDFファイルサイズ: 2,075 Kバイト