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TDR測定における低電圧・高速化パルスによる電圧依存性静電容量の測定精度向上

TDR測定における低電圧・高速化パルスによる電圧依存性静電容量の測定精度向上

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-58

グループ名: 【D】平成22年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2010/08/23

タイトル(英語): Accuracy Improvement in Measuring Voltage Dependent Capacitance of MOSFET Using TDR System with a Lower Voltage and Faster Rise Time Step Pulse

著者名: 有賀 善之介(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Zen-nosuke Ariga(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 回路パラメータ|等価回路|MOSFET|TDR| circuit parameter|equivalent circuit|MOSFET|TDR

PDFファイルサイズ: 3,070 Kバイト

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