本格的普及が開始したSiCパワーデバイスの現状

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-O1-2

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Current state of SiC power devices

著者名: 田中 保宣(産業技術総合研究所),高塚 章夫(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Yasunori Tanaka(National Institute of Advanced Industrial Sicence and Technology),Akio Takatsuka(National Institute of Advanced Industrial Sicence and Technology),Tsutomu Yatsuo(National Institute of Advanced Industrial Sicence and Technology),Hiromichi Ohashi(National Institute of Advanced Industrial Sicence and Technology)

キーワード: SiCパワーデバイス|低オン抵抗|SiC-PiNダイオード|SiC-BGSIT| SiC power device|low on-resistance|SiC-PiN diode|SiC-BGSIT

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