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単相PFCボードにおけるGaNパワーデバイスの実装評価

単相PFCボードにおけるGaNパワーデバイスの実装評価

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-113

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Feasible Evaluations of GaN-FET on Single Phase PFC Converter Board

著者名: 野崎 優(島根大学),服部 文哉(島根大学),山本 真義(島根大学),町田 修(サンケン電気)

著者名(英語): Yu Nozaki(Shimane University),Fumiya Hattori(Shimane University),Masayoshi Yamamoto(Shimane University),Osamu Machida(SANKEN ELECTRIC CO. LTD)

キーワード: 窒化ガリウムデバイス|次世代型デバイス| Gallium nitride power semiconductor device|next-generation device

PDFファイルサイズ: 1,986 Kバイト

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