3.3kV級SiC-SBDの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-129

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Development of 3.3-kV-class SiC-SBDs

著者名: 渡邊 寛(次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),中田 修平(次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),中木 義幸(三菱電機),藤井 善夫(三菱電機),大塚健一 (三菱電機),川上 剛史(三菱電機),今泉 昌之(三菱電機),豊田 吉彦(次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),炭谷 博昭(三菱電機),大森 達夫(次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構)

著者名(英語): Hiroshi Watanabe(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology),Shuhei Nakata(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology),Yoshiyuki Nakaki(Mitsubishi Electric Corporation),Yoshio Fujii(Mitsubishi Electric Corporation),Kenichi Otsuka(Mitsubishi Electric Corporation),Tsuyoshi Kawakami(Mitsubishi Electric Corporation),Masayuki Imaizumi(Mitsubishi Electric Corporation),Yoshihiko Toyoda(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology),Hiroaki Sumitani(Mitsubishi Electric Corporation),Tatsuo Oomori(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology)

キーワード: 炭化珪素|ショットキーバリアダイオード|終端構造| SiC|schottky barrier diode|edge termination structure

PDFファイルサイズ: 3,948 Kバイト