Turn-off Surge Voltage Behavior of SiC Schottky Barrier Diode

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-130

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Turn-off Surge Voltage Behavior of SiC Schottky Barrier Diode

著者名: 山口 浩(産業技術総合研究所),Rejeki Simanjorang(産業技術総合研究所),仲川 博(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Hiroshi Yamaguchi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Simanjorang Rejeki(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Nakagawa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Sato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))

キーワード: High dv/dt|SiC-SBDJunction capacitance|Junction capacitance|Turn-off surge voltage

PDFファイルサイズ: 7,673 Kバイト