GaN HEMTのスケールアップモデルとスイッチング特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-131

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Scaled up Modeling and Switching Characteristics of GaN HEMT

著者名: 豊田 玄紀(山口大学),岡本 昌幸(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)

著者名(英語): Genki Toyoda(Yamaguchi University),Masayuki Okamoto(Yamaguchi University),Eiji Hiraki(Yamaguchi University),Toshihiko Tanaka(Yamaguchi University),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.)

キーワード: GaN HEMT|ノーマリーオン|スパイス|スイッチング特性| GaN HEMT|normally-on|spice|switching characteristics

PDFファイルサイズ: 1,840 Kバイト