Heイオン照射によるSOI横型ダイオードの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-132

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Development of SOI Lateral Diode by the He Ion Irradiation

著者名: 鈴木 隆司(豊田中央研究所),木村 大至(豊田中央研究所),櫻井 晋也(デンソー),高橋 茂樹(デンソー),白木 聡(デンソー),戸倉 規仁(デンソー),杉山 隆英(豊田中央研究所)

著者名(英語): Takashi Suzuki(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.),Taishi Kimura(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.),Shinya Sakurai(DENSO CORPORATION),Shigeki Takahashi(DENSO CORPORATION),Satoshi Shiraki(DENSO CORPORATION),Norihito Tokura(DENSO CORPORATION),Takahide Sugiyama(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.)

キーワード: SOI|横型ダイオード|逆回復|Heイオン照射| SOI|lateral diode|reverse recovery|He ion irradiation

PDFファイルサイズ: 4,780 Kバイト