GaNゲート注入型トランジスタ双方向スイッチの等価回路モデル

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-134

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Equivalent Circuit Model for GaN Gate-Injection-Transistor Bi-directional Switch

著者名: 井手 利英(産業技術総合研究所),清水 三聡(産業技術総合研究所),森田 竜夫(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),田中 毅(パナソニック)

著者名(英語): Toshihide Ide(Advanced Industrial Science and Technology),Mitsuaki Shimizu(Advanced Industrial Science and Technology),Tatsuo Morita(Panasonic),Tetsuzo Ueda(Panasonic),Tsuyoshi Tanaka(Panasonic)

キーワード: GaN|ゲート注入型トランジスタ (GIT)|双方向スイッチ|等価回路モデル| GaN|Gate Insulated Transistor (GIT)|Bi-directional Switch|Equivalent-circuit-model

PDFファイルサイズ: 4,620 Kバイト