高精度MOSFETモデルを用いた損失・ノイズ評価への基礎的検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-135

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Investigation of noise and switching-energy loss by using a precise MOSFET model

著者名: 岩田 恭彰(東京工業大学),冨永 真志(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),大井 健史(三菱電機),漆畑 廣明(三菱電機)

著者名(英語): Yasuaki Iwata(Tokyo Institute of Technology),Shinji Tominaga(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.),Shin-ichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Oi(Mitsubishi Electric Corp.),Hiroaki Urushibata(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: パワー半導体モデル|損失解析|ノイズ解析|駆動回路設計| power semiconductor model|power loss analysis|noise analysis|gate driver design

PDFファイルサイズ: 3,889 Kバイト