MOSFETおよびIGBTを対象とした非破壊試験装置の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-136

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Discussion of Non-Destructive Experimental Set-Up for PowerMOSFETs and IGBTs

著者名: 中川 徹也(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),西澤 伸一(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Tetsuya Nakagawa(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Shin-ichi Nishizawa(Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiromichi Ohashi(Advanced Industrial Science and Technology (AIST))

キーワード: 電力用半導体素子|MOSFET|IGBT|非破壊試験装置| Power Semiconductor Device|MOSFET|IGBT|Non-Destructive Experimental

PDFファイルサイズ: 1,478 Kバイト