非対称セルを用いた正孔注入型自己バイアスチャネルダイオードの解析シミュレーション

カテゴリ: 部門大会

論文No: Y-1

グループ名: 【D】平成23年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/06

タイトル(英語): Analytical Simulation of Hole Injection Type Self-bias Channel Diode using Asymmetrical Cell

著者名: 遠藤 守雄(東北学院大学),菅原 文彦(東北学院大学),工藤嗣友 (神奈川工科大学),星 秀明(オリジン電気),山口 日出男(オリジン電気)

著者名(英語): Morio Endo(Tohoku Gakuin University),Fumihhiko Sugawara(Tohoku Gakuin University),Tsugutomo Kudoh(Kanagawa Institute of Technology),Hideaki Hoshi(Origin Electric Co.,LTD),Hideo Yamaguchi(Origin Electric Co.,LTD)

キーワード: 自己バイアスチャネルダイオード|正孔注入|非対称セル| Self-bias Channel Diode|Hole Injection|Asymmetrical Cell

PDFファイルサイズ: 1,301 Kバイト