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GaN FETの逆I-V特性に着目したブリッジレスPFCの効率改善の検討

GaN FETの逆I-V特性に着目したブリッジレスPFCの効率改善の検討

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-32

グループ名: 【D】平成24年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2012/08/21

タイトル(英語): Efficiency improvement of bridge-less PFC circuits considering reverse I-V characteristics of GaN FET

著者名: 金崎 正樹(長岡技術科学大学),芳賀 仁(長岡技術科学大学),近藤正示 (長岡技術科学大学)

著者名(英語): Masaki Kanesaki(Nagaoka University of Technology),Hitoshi Haga(Nagaoka University of Technology),Seiji Kondo(Nagaoka University of Technology)

キーワード: GaN FET|ブリッジレスPFC|高効率|同期整流| GaN FET|bridge-less PFC|High efficiency|Synchronous rectification

PDFファイルサイズ: 3,437 Kバイト

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