SiC-MOSFET/SBD モジュールを用いた750 V, 90 kW, 20 kHz双方向絶縁型DC/DCコンバータ

カテゴリ: 部門大会

論文No: 45674

グループ名: 【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2013/08/28

タイトル(英語): The 750-V, 90-kW, 20-kHz Bidirectional Isolated DC/DC Converter Using SiC-MOSFET/SBD Modules.

著者名: 山岸 達也(東京工業大学),Muhoro Mbugua(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),木ノ内 伸一(三菱電機),宮崎 祐二(三菱電機)

著者名(英語): Tatsuya Yamagishi(Tokyo Institute of Technology),Mbugua Muhoro(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Shin-ichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Corporation),Yuji Miyazaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 双方向絶縁型DC/DC コンバータ|SiC-MOSFET|変換効率|デッドタイム| Bidirectional Isolated DC/DC converter|SiC-MOSFET|conversion efficiency|dead time

PDFファイルサイズ: 7,906 Kバイト