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高耐圧 SiC MOSFET の開発

高耐圧 SiC MOSFET の開発

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-86

グループ名: 【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2013/08/28

タイトル(英語): Development of High-Voltage SiC MOSFET

著者名: 木村 錬(住友電気工業),日吉 透(住友電気工業),初川 聡(住友電気工業)

著者名(英語): Ren Kimura(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Toru Hiyoshi(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Satoshi Hatsukawa(Sumitomo Electric Industries,Ltd.)

キーワード: 炭化珪素|トランジスタ|パワーデバイス| SiC|silicon carbide|breakdown-voltage|power device

PDFファイルサイズ: 10,238 Kバイト

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