1
/
の
1
高耐圧 SiC MOSFET の開発
高耐圧 SiC MOSFET の開発
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 部門大会
論文No: 1-86
グループ名: 【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集
発行日: 2013/08/28
タイトル(英語): Development of High-Voltage SiC MOSFET
著者名: 木村 錬(住友電気工業),日吉 透(住友電気工業),初川 聡(住友電気工業)
著者名(英語): Ren Kimura(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Toru Hiyoshi(Sumitomo Electric Industries,Ltd.),Satoshi Hatsukawa(Sumitomo Electric Industries,Ltd.)
キーワード: 炭化珪素|トランジスタ|パワーデバイス| SiC|silicon carbide|breakdown-voltage|power device
PDFファイルサイズ: 10,238 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
