IGBT物理モデルによる短絡時のスイッチング動作解析
IGBT物理モデルによる短絡時のスイッチング動作解析
カテゴリ: 部門大会
論文No: 1-87
グループ名: 【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集
発行日: 2013/08/28
タイトル(英語): Transient Behavior of IGBT under Short Circuit Conditions by using Physics-Based model
著者名: 岡本 昌二(東京工業大学),冨永 真志(東京工業大学),西村 正(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),大井 健史(三菱電機)
著者名(英語): Shoji Okamoto(Tokuo Institute of Technology),Shinji Tominaga(Tokuo Institute of Technology),Tadashi Nishimura(Tokuo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokuo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokuo Institute of Technology),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Shin-ichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Corporation),Takeshi Oi(Mitsubishi Electric Corporation)
キーワード: 物理モデル|IGBT|アーム短絡|負荷短絡| physics-based model|IGBT|hard switching fault|fault under load
PDFファイルサイズ: 4,128 Kバイト
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