ノーマリオンGaN HEMT 用共振形ゲートドライブ回路

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-88

グループ名: 【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2013/08/28

タイトル(英語): Resonant Gate Driver for Normally-On GaN High-Electron-Mobility Transistor

著者名: 石橋 卓治(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),岡本 昌幸(宇部工業高等専門学校),橋詰 保(北海道大学)

著者名(英語): Takaharu Ishibashi(Yamaguchi University),Eiji Hiraki(Yamaguchi University),Toshihiko Tanaka(Yamaguchi University),Masayuki Okamoto(Ube National College of Technology),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University)

キーワード: GaN HEMT|ノーマリオンデバイス|共振形ゲートドライブ回路| GaN High-Electron-Mobility Transistor|normally-on power device|resonant gate driver

PDFファイルサイズ: 1,866 Kバイト