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SiCパワー半導体デバイス導入による電力変換器の容量低減効果?昇圧チョッパ回路の場合?

SiCパワー半導体デバイス導入による電力変換器の容量低減効果?昇圧チョッパ回路の場合?

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-91

グループ名: 【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2013/08/28

タイトル(英語): Effect of Downsizing for Power Converters by Applying SiC Power Semiconductor Devices -Case Study Single-Phase Boost Chopper Circuit-

著者名: 濱 雅(島根大学),坪井 彬矩(島根大学),青砥 匠吾(島根大学),今岡 淳(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Masashi Hama(Shimane University),Akinori Tsuboi(Shimane University),Shogo Aoto(Shimane University),Jun Imaoka(Shimane University),Masayoshi Yamamoto(Shimane University)

キーワード: SiC半導体デバイス|インダクタ|ヒートシンク|キャパシタ| SiC power semiconductor devices|Inductor|Heat sink|Capacitor

PDFファイルサイズ: 4,160 Kバイト

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