IGBT，パワーMOS-FETの最新動向と展望

カテゴリ: 部門大会

論文No: 4-S10-4

グループ名: 【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2013/08/28

タイトル(英語): The Latest Technical Trends of IGBTs and Power MOSFETs

著者名: 小倉 常雄(東芝)

著者名(英語): Tsuneo Ogura(Toshiba Corporation)

キーワード: パワーデバイス|IGBT|パワーMOSFET| power semiconductor devices|IGBT|power MOSFET

PDFファイルサイズ: 5,514 Kバイト