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    GaNデバイスの最新動向と展望
GaNデバイスの最新動向と展望
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カテゴリ: 部門大会
論文No: 4-S10-6
グループ名: 【D】平成25年電気学会産業応用部門大会講演論文集
発行日: 2013/08/28
タイトル(英語): Recent Advances and Future Prospects on GaN-based Power Devices
著者名: 上田 哲三(パナソニック)
著者名(英語): Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation)
キーワード: 窒化ガリウム|パワートランジスタ|高耐圧|低オン抵抗| Gallium Nitride|Power transistor|High breakdown voltage|Low on-state resistance
PDFファイルサイズ: 4,300 Kバイト
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