カーブフィッティングを用いた半導体スイッチング素子損失の解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-42

グループ名: 【D】平成26年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2014/08/26

タイトル(英語): Analysis of Power Losses in Semiconductor Switching Devices.

著者名: 糸川 祐樹(東京工業大学),藤田 英明(東京工業大学)

著者名(英語): Yuki Itogawa(Tokyo Institute of Technology),Hideaki Fujita(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 損失解析|IGBT|MOSFET|カーブフィッティング| Loss analysis|IGBT|MOSFET|Curve fitting

PDFファイルサイズ: 554 Kバイト