Si-MOSFETを対象とした非破壊短絡試験装置の設計

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-46

グループ名: 【D】平成26年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2014/08/26

タイトル(英語): Design Procedure of Non-Destructive Experimental Equipment of Si-MOSFET for Short-Circuit Test

著者名: 平田 晃介(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Kosuke Hirata(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: MOSFET|短絡試験|非破壊試験装置| Si|MOSFET|short-circuit|Non-Destructive Experiment Equipment

PDFファイルサイズ: 685 Kバイト