パワー半導体デバイスの発達史

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-S7-3

グループ名: 【D】平成26年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2014/08/26

タイトル(英語): Progress of Technologies for Power Semiconductor devices

著者名: 竹内 南(退職),木下 繁則(終身会員)

著者名(英語): Minami Takeuchi(retirement),Shigenori Kinoshita(Life Member)

キーワード: パワー半導体デバイス|パワー半導体デバイス適用技術|バイポーラトランジスタ|IGBT| power semiconductor devices|application technologies for power semiconductor devices|bipolar transistors|IGBT

PDFファイルサイズ: 458 Kバイト