SiC-MOSFETを用いたDC-DCコンバータにおけるゲート抵抗及び外付SiC-SBDの有無とスイッチング損失の関係評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-47

グループ名: 【D】平成27年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2015/09/02

タイトル(英語): Switching loss Evaluation of DC-DC converter using SiC-MOSFET from the point of gate resistance and additional SiC-SBD

著者名: 沈 凌鋒(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Lingfeng Shen(University of Tsukuba),Takakori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(University of Tsukuba)

キーワード: SiC-MOSFET|高周波駆動|スイッチング損失|SBD並列| SiC-MOSFET|high frequency drive|switching loss|in parallel of SiC-SBD

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