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SiC-MOSFETモデルを用いた双方向絶縁形DC/DCコンバータの詳細な動作解析

SiC-MOSFETモデルを用いた双方向絶縁形DC/DCコンバータの詳細な動作解析

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-48

グループ名: 【D】平成27年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2015/09/02

タイトル(英語): An Operation Analysis of a Bidirectional Isolated DC/DC Converter Using a SiC-MOSFET Model

著者名: 小杉 優介(東京工業大学),西村 正(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),堀口 剛司(三菱電機),木ノ内 伸一(三菱電機),宮崎 裕二(三菱電機)

著者名(英語): Yusuke Kosugi(Tokyo Institute of Technology),Tadashi Nishimura(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Tsuyoshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Shin-ichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Corporation),Yuji Miyazaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 双方向絶縁形DC/DCコンバータ|SiC-MOSFETモデル|シミュレーション|損失解析| Bidirectional isolated dc/dc converter|SiC-MOSFET model|Simulation|Loss analysis

PDFファイルサイズ: 352 Kバイト

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