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SiC-MOSFET/SBDデュアル・モジュールを使用した単方向絶縁形DC-DCコンバータのデッドタイム補償

SiC-MOSFET/SBDデュアル・モジュールを使用した単方向絶縁形DC-DCコンバータのデッドタイム補償

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-49

グループ名: 【D】平成27年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2015/09/02

タイトル(英語): Compensation for the Effect of a Dead Time on a Unidirectional Isolated DC-DC Converter Using SiC-MOSFET/SBD Dual Modules

著者名: 羽根田 崚(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学)

著者名(英語): Ryo Haneda(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 単方向絶縁形DC-DCコンバータ|デッドタイム補償| unidirectional isolated dc-dc converters|dead-time compensation

PDFファイルサイズ: 2,350 Kバイト

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