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n型MOSFETのみを用いた単相ダイオードクランプリニアアンプの出力電圧歪み補償法の検討

n型MOSFETのみを用いた単相ダイオードクランプリニアアンプの出力電圧歪み補償法の検討

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 45661

グループ名: 【D】平成28年電気学会産業応用部門大会講演論文集

発行日: 2016/08/30

タイトル(英語): Validation of Output Voltage-Distortion-Compensation Method for Diode-Clamped Linear Amplifiers using n-channel MOSFETs

著者名: 河井 伸哉(長岡技術科学大学),横倉 勇希(長岡技術科学大学),大石 潔(長岡技術科学大学),芳賀 仁(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Shinya Kawai|Yuki Yokokura|Kiyoshi Ohishi|Hitoshi Haga

キーワード: 線形増幅回路|EMI|ダイオードクランプ|THD, Linear Amplifier|EMI|Diode-clamping circuit|THD

PDFファイルサイズ: 402 Kバイト

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